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電磁干擾對電子設備的危害

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電磁干擾對電子設備的危害

電子設備和系統(tǒng)受強電設備干擾或系統(tǒng)內(nèi)部的電磁影響造成性能下降或不能工作的情況是電磁干擾最為常見的危害。在軍事上，由于飛機和軍艦等軍事裝備中防御電子系統(tǒng)和進攻電子系統(tǒng)的相互干擾不能同時兼容工作，而遭到對方發(fā)射導彈的攻擊的戰(zhàn)例也很多。

概括而言，電磁能量的人類活動有三大危害：

①電磁干擾會破壞或降低電子設備的工作性能；
②電磁干擾能量可能引起易燃易爆物的起火和爆炸，造成武器系統(tǒng)的失靈、儲油罐起火爆炸，帶來巨大的經(jīng)濟損失和人身傷亡；
③電磁干擾能量可對人體組織器官造成傷害，危及人類的身體健康。
復讀機電源適配器電磁干擾對電氣、電子設備或系統(tǒng)，特別是對含有半導體器件的設備或系統(tǒng)會產(chǎn)生嚴重的破壞作用。損壞效應歸納起來主要有：

1. 高壓擊穿：當器件接收電磁能量后可轉(zhuǎn)化為大電流，在高阻處也可轉(zhuǎn)化為高電壓，結果可引起接點、部件或回路間的電擊穿，導致器件損壞或瞬時失效。例如，脈寬為 0.1微秒、電流幅值為1A 的電流脈沖，可在 1PF 的電容接點上產(chǎn)生100KV 電壓，該接點被擊穿后還會產(chǎn)生數(shù)百 KHz 的衰減正弦波振蕩，并輻射出電磁波。

2. 器件燒毀或受瞬變干擾：除高壓擊穿外，器件因瞬變電壓造成短路損壞的原因一般都歸結于功率過大而燒毀，或 PN 結的電壓過高而擊穿，無論是集成電路、存儲器還是晶體管、二極管、晶閘管等都是一樣的。大多數(shù)半導體器件的最低損壞的有效功率為 1 微秒、10 瓦特或 10uJ,一些敏感器件為 1 微秒、1 瓦特或1uJ。一般硅晶體管的 E 極和 B 極之間的反向擊穿電壓為 2~5V,而且它還隨溫度的升高而下降，干擾電壓很容易使其損壞。關于半導體器件損壞或受瞬變干擾的過程還可能出現(xiàn)以下幾種情況：
a) 所有CMOS器件都用氧化膜絕緣或用它保護集成電路中的不同元器件，但氧化膜的厚度只有幾微米，一旦電壓超過氧化膜的絕緣強度便會將它擊穿，造成短路。
b) 當電流通過 PN 結時，由于電流的不均勻往往會燒毀鍍敷的金屬導體，造成開路。
c) 出現(xiàn)因瞬變電壓的能量尚不足以立即損壞器件，但會使其性能下降，影響功能，丟失數(shù)據(jù)，產(chǎn)生誤動作，使半導體器件進入不能自動復原的導通狀態(tài)（也稱為死機）；而切斷電源重新開機后又恢復正常工作。
d) 器件存在潛伏性的損毀現(xiàn)象，即器件的反復經(jīng)受瞬變電壓的沖擊，每次都使性能降低一些，累積起來后會在某一天使產(chǎn)品出現(xiàn)災難性的損壞。以整流二極管為例，在經(jīng)受很高的瞬變電壓之后，二極管的反向漏電流會增加。每經(jīng)受一次沖擊，反向漏電流會增加一些，表面看來設備仍能工作，性能沒有明顯變化，但發(fā)熱增加，到最后終會因偶然的一個瞬變電壓而導致二極管燒毀。這種潛伏性損毀在半導體器件中是屢見不鮮的，半導體器件在制造時產(chǎn)生的缺陷也會造成潛伏性損毀。對于無源器件，瞬變電壓也同樣會使其燒毀或性能降低，如降低耐壓值和額定工作電壓以及其他電氣性能。

3. 浪涌沖擊：對有金屬屏蔽的電子設備，即使殼體外的微波能量不能直接輻射到設備內(nèi)部，但是在金屬屏蔽殼體上感應的脈沖大電流，像浪涌一樣在殼體上流動，殼體上的縫隙、孔洞、外露引線一旦將一部分浪涌電流引入殼內(nèi)電路，就足以使內(nèi)部的敏感器件損壞。

4. 影響j電源適配器電路正常工作傳遞：電磁干擾對低壓電子電路也有較大影響。對模擬電路的影響隨干擾強度的增大而增大，直接影響電路的工作性能和參數(shù)；對數(shù)字電路，電磁干擾容易導致信號電平的變化，從而影響數(shù)據(jù)鏈傳輸?shù)臏蚀_性。

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| 發(fā)布時間：2018.09.26    來源：電源適配器廠家
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