電源適配器EMI的高頻等效電路 |
直流反激電源適配器的高頻EMI等效推導 原邊MOSFET交流電壓分量單獨作用下的差模EMI等效電路從 從差模EMI在高頻段的等效電路可知,差模等效電路的EMI源除了和MOSFET電壓波形、激磁電感、濾波電容的ESR有關外,還與電源適配器變壓器、輸入濾波電容和引線的其他寄生參數(shù)有關。這與在低頻段時有很大的差別,同樣的EMI阻抗也與低頻段有很大的差別。 (1)電源適配器-B原邊MOSFET交流電壓分量單獨作用下的共模EMI等效電路 原邊MOSFET交流電壓分量單獨作用下的共模EMI等效電路 從共模EMI在高頻段的等效電路可知,共模等效電路的EMI源除了和電壓波形、MOSFET漏極與散熱器之間的電容有關外,還與變壓器的層間電容、二極管陰極與散熱器之間的電容及濾波電容的寄生參數(shù)與引線電感等有關。這與在低頻段時有很大的差別,同樣的EMI阻抗也與低頻段有很大的區(qū)別。 (2):6w電源適配器副邊二極管交流電流分量單獨作用下的EMI等效電路 副邊二極管交流分量單獨作用下的共模EMI的等效電路 從共模EMI在高頻段的等效電路可知,共模等效電路的EMI源除了和副邊二極管電流波形有關外,還與變壓器的層間電容、二極管陰極與散熱器之間的電容及濾波電容的寄生參數(shù)和引線電感有關。這與在低頻段時(可看成無共模路徑)有很大的差別。
電源適配器開關變換器的時變因素與非線性因素主要是由開關元件導致的。為了使變換器的等效電路成為線性電路,開關元件平均模型法采取了對開關元件直接進行分析的方法。 文章轉載自網(wǎng)絡,如有侵權,請聯(lián)系刪除。 |
| 發(fā)布時間:2018.06.23 來源:電源適配器廠家 |
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