符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源技巧 |
在您的適配器中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白,只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的適配器。 從開關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容(100毫微微法拉)會(huì)讓您無法滿足電磁干擾(EMI)需求。那100fF電容器是什么樣子的呢?在Digi-Key中,這種電容器不多。即使有,它們也會(huì)因寄生問題而提供寬泛的容差。 不過,在您的適配器中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的適配器。 圖1是這些非計(jì)劃中電容的一個(gè)實(shí)例。圖中的右側(cè)是一個(gè)垂直安裝的FET,所帶的開關(guān)節(jié)點(diǎn)與鉗位電路延伸至了圖片的頂部。輸入連接從左側(cè)進(jìn)入,到達(dá)距漏極連接1cm以內(nèi)的位置。這就是故障點(diǎn),在這里FET的開關(guān)電壓波形可以繞過EMI濾波器耦合至輸入。 圖1. 開關(guān)節(jié)點(diǎn)與輸入連接臨近,會(huì)降低EMI性能 注意,漏極連接與輸入引線之間有一些由輸入電容器提供的屏蔽。該電容器的外殼連接至主接地,可為共模電流提供返回主接地的路徑。如圖2所示,這個(gè)微小的電容會(huì)導(dǎo)致適配器EMI簽名超出規(guī)范要求。 圖2. 寄生漏極電容導(dǎo)致超出規(guī)范要求的EMI性能 這是一條令人關(guān)注的曲線,因?yàn)樗从吵隽藥讉€(gè)問題:明顯超出了規(guī)范要求的較低頻率輻射、共模問題通常很明顯的1MHz至2MHz組件,以及較高頻率組件的衰減正弦(x)/x分布。 需要采取措施讓輻射不超出規(guī)范。我們利用通用電容公式將其降低了: C = ε ˙ A/d 我們無法改變電容率(ε),而且面積(A)也已經(jīng)是最小的了。不過,我們可以改變間距(d)。如圖3所示,我們將組件與輸入的距離延長(zhǎng)了3倍。最后,我們采用較大接地層增加了屏蔽。 圖3. 這個(gè)修改后的布局不僅可增加間距,而且還可帶來屏蔽性能 圖4是修改后的效果圖。我們?cè)诠收宵c(diǎn)位置為EMI規(guī)范獲得了大約6dB的裕量。此外,我們還顯著減少了總體EMI簽名。所有這些改善都僅僅是因?yàn)椴季值恼{(diào)整,并未改變電路。如果您的電路具有高電壓開關(guān)并使用了屏蔽距離,您需要非常小心地對(duì)其進(jìn)行控制。 圖4. EMI性能通過屏蔽及增加的間距得到了改善 總之,來自離線電源適配器開關(guān)節(jié)點(diǎn)的100fF電容會(huì)導(dǎo)致超出規(guī)范要求的EMI簽名。這種電容量只需寄生元件便可輕松實(shí)現(xiàn),例如對(duì)漏極連接進(jìn)行路由,使其靠近輸入引線。通??赏ㄟ^改善間距或屏蔽來解決該問題。要想獲得更大衰減,需要增加濾波或減緩電路波形。
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| 發(fā)布時(shí)間:2018.06.05 來源:電源適配器廠家 |
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