電源適配器EMI的高頻等效電路 |
直流反激電源適配器的高頻EMI等效推導(dǎo) 原邊MOSFET交流電壓分量單獨(dú)作用下的差模EMI等效電路從 從差模EMI在高頻段的等效電路可知,差模等效電路的EMI源除了和MOSFET電壓波形、激磁電感、濾波電容的ESR有關(guān)外,還與電源適配器變壓器、輸入濾波電容和引線(xiàn)的其他寄生參數(shù)有關(guān)。這與在低頻段時(shí)有很大的差別,同樣的EMI阻抗也與低頻段有很大的差別。 (1)電源適配器-B原邊MOSFET交流電壓分量單獨(dú)作用下的共模EMI等效電路 原邊MOSFET交流電壓分量單獨(dú)作用下的共模EMI等效電路 從共模EMI在高頻段的等效電路可知,共模等效電路的EMI源除了和電壓波形、MOSFET漏極與散熱器之間的電容有關(guān)外,還與變壓器的層間電容、二極管陰極與散熱器之間的電容及濾波電容的寄生參數(shù)與引線(xiàn)電感等有關(guān)。這與在低頻段時(shí)有很大的差別,同樣的EMI阻抗也與低頻段有很大的區(qū)別。 (2):6w電源適配器副邊二極管交流電流分量單獨(dú)作用下的EMI等效電路 副邊二極管交流分量單獨(dú)作用下的共模EMI的等效電路 從共模EMI在高頻段的等效電路可知,共模等效電路的EMI源除了和副邊二極管電流波形有關(guān)外,還與變壓器的層間電容、二極管陰極與散熱器之間的電容及濾波電容的寄生參數(shù)和引線(xiàn)電感有關(guān)。這與在低頻段時(shí)(可看成無(wú)共模路徑)有很大的差別。
電源適配器開(kāi)關(guān)變換器的時(shí)變因素與非線(xiàn)性因素主要是由開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)致的。為了使變換器的等效電路成為線(xiàn)性電路,開(kāi)關(guān)元件平均模型法采取了對(duì)開(kāi)關(guān)元件直接進(jìn)行分析的方法。 文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除。 |
| 發(fā)布時(shí)間:2018.06.23 來(lái)源:電源適配器廠家 |
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